Polovodičové materiály běžně používané k výrobě LED
Světelným zdrojem LED je PN křižovatka, jak se vyrábí? Jaké jsou polovodičové materiály běžně používané k výrobě LED?
Základní strukturou diody emitující světlo je polovodičová PN diafragma. Když je na PN křižovatku aplikováno propustné napětí, jsou vstřikovány menšinové nosiče a rekombinace menšinových nosičů je pracovním mechanismem diody vyzařující světlo. PN křižovatka označuje strukturu se sousedními oblastmi P a N v jediném krystalu. Obvykle se tvoří difuzí, iontovou implantací nebo růstem na krystalu jednoho typu vodivosti za vzniku tenké vrstvy jiného typu vodivosti. vrstva je vyrobena. Pokud byla modrá LED dioda z karbidu křemíku vyrobena iontovou implantací, GaAs0.60P0.40/GaAs0.35P0.65: N/GaP, GaAs0.15P0.85: N/GaP, GaP: ZnO/GaP byly vyrobeny difúzní metodou Infračervené, červené, oranžové, žluté, červené LED, zatímco LED diody GaAlAs, InGaN, InGaAlP s ultra vysokým jasem jsou vyrobeny z růstových přechodů, GaAs, GaP:ZnO/GaP a GaP:N/ GaP LEDPN křižovatky jsou také vyrobeny se pěstovanými přechody. Ve srovnání s difuzní metodou a metodou implantace iontů je růstová diafragma obecně nadměrně kompenzována, aby vytvořila PN křižovatku, a zbytečné nečistoty jsou příliš velké, což vede ke snížení kvality krystalů, zvýšení defektů a zvýšení použití neradiační rekombinace, což vede ke snížení světelné účinnosti.
Polovodičové materiály běžně používané k výrobě LED diod zahrnují hlavně III-V sloučeninové polovodičové materiály, jako je arsenid galia, fosfid galia, arsenid gália hliníku, fosfor arsenidu galia, nitrid india galia, fosfor hliníku india gallium atd., Stejně jako složené polovodiče skupiny IV. Karbid křemíku, sloučenina selenid zinečnatý skupiny II-VI atd.
